RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2081
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link