RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
47
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
21
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3427
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link