RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2201
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link