RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
76
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
76
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
1260
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link