RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2908
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link