Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 42

Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 26
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 18.4
Скорость записи, Гб/сек

7.2 16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1933 3825

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

Kingston 9905630-025.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

модули RAM