RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB против Kingston 9905711-002.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1933
2371
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link