RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 45
    Около -45% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.7 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.3 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 13.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1939 left arrow 3318

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
модули RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
модули RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
модули RAM