RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2955
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link