Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 45

Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.1 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 25
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 16.1
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2164

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

модули RAM