RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24.1
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
24.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
4001
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link