RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3551
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link