RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
51
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
51
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2945
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link