RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Kingston 9905734-062.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3779
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link