Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 45

Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.9 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 42
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 13.9
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 2034

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 9905744-024.A00G 16GB

Kingston 9905744-024.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N

модули RAM