RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2953
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link