RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
49
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2277
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link