RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
45
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2550
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link