RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1651
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link