RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
78
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
12
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
78
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
1584
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link