RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
45
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3290
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link