Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Причины выбрать
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 44

Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 30
Скорость чтения, Гб/сек

13.0 17.4
Скорость записи, Гб/сек

8.2 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2069 3527

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM