RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
64
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2069
2103
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link