RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
61
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
61
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2089
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link