RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
75
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1717
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link