RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
45
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3356
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link