RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3809
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link