RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3579
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link