RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
79
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
79
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
7.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1671
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX16 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link