RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3299
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link