RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
45
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3011
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link