RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2576
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link