RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2291
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link