RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2571
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link