RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3039
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link