Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 45

Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 15.2
Скорость записи, Гб/сек

8.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 2705

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

модули RAM