RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
74
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1849
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link