RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3428
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link