RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3234
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link