RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2902
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link