RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3546
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link