RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3305
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link