RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3564
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link