RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3701
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link