RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
50
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
50
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2326
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link