RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3673
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link