RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2417
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link