RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2417
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link