RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3169
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link