RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2440
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link