RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston 9905702-012.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около -36% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
9.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1620
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HC5B-AC 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link